类型：P 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：-100 V
　　栅源电压（Vgs）：±20 V
　　连续漏极电流（Id）：-6.0 A
　　导通电阻（Rds(on)）：@ Vgs = 10 V 时 ≤ 0.21 Ω；@ Vgs = 4.5 V 时 ≤ 0.30 Ω
　　功率耗散（Pd）：2.5 W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

FQD6P10 的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于降低在导通状态下的功率损耗，提高系统效率。该器件在 Vgs = 10V 时 Rds(on) 最大为 0.21Ω，在 Vgs = 4.5V 时最大为 0.30Ω，这使得它可以在较低的栅极驱动电压下工作，适用于多种电源管理应用。
　　此外，FQD6P10 具有高达 -100V 的漏源电压额定值，能够承受较高的电压应力，适用于高压环境下的电源开关应用。其连续漏极电流为 -6.0A，适合中等功率的负载控制。
　　该 MOSFET 还具备良好的热稳定性和耐用性，能够在较宽的工作温度范围内保持稳定性能。TO-252（DPAK）封装形式不仅提供了良好的散热能力，还便于表面贴装，提高了 PCB 布局的灵活性。
　　此外，FQD6P10 内部集成了栅极保护二极管，有助于提高器件在高频开关应用中的可靠性，减少因静电放电（ESD）或瞬态电压引起的损坏风险。

FQD6P10 常用于多种电源管理及功率控制电路中，例如：DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机控制电路、电源适配器以及电信和工业设备中的电源模块。
　　在电池供电设备中，FQD6P10 可作为高侧或低侧开关使用，实现对负载的高效控制。其低导通电阻和高耐压特性使其特别适合用于需要高效能、高可靠性的便携式电子产品，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理系统。
　　在工业自动化和控制系统中，该器件可应用于继电器替代、马达驱动、LED 照明调光等场合。由于其具备良好的热稳定性，因此也可用于高温环境下的电子设备中。

Si4435BDY, IRF9Z24N, FQP6P10, FDV303P