时间：2025/9/26 15:25:15
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RP131L131D-TR是一款由Nisshinbo Micro Devices（日本电波工业株式会社）推出的高性能、低功耗、低压差线性稳压器（LDO），专为便携式电子设备和对电源噪声敏感的应用而设计。该器件属于RP131系列，具有超低静态电流、高纹波抑制比和快速瞬态响应等优点，能够在输入电压较低或负载变化剧烈的条件下保持稳定的输出电压。RP131L131D-TR采用DFN1010-4封装，尺寸仅为1.0mm × 1.0mm，高度极低，非常适合空间受限的高密度印刷电路板布局。该LDO内置了过流保护和过热保护功能，确保在异常工作条件下仍能安全运行。此外，其输出电压固定为1.3V，出厂时已精确设定，精度可达±2%，适用于为微处理器、传感器、射频模块和其他低电压逻辑电路提供稳定电源。RP131L131D-TR的工作温度范围通常为-40°C至+85°C，满足工业级应用要求。由于其优异的动态响应性能和无需外部补偿的设计，使用该器件可以简化电源系统设计并减少外围元件数量，从而降低整体成本和PCB面积。
型号：RP131L131D-TR
制造商：Nisshinbo Micro Devices
封装类型：DFN1010-4
引脚数：4
输出电压：1.3V ±2%
最大输出电流：300mA
输入电压范围：1.8V 至 5.5V
压差电压：典型值180mV @ 300mA
静态电流：典型值1.0μA（待机模式）
关断电流：最大值0.1μA
纹波抑制比：70dB @ 1kHz（典型值）
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
保护功能：过流保护、过热保护
稳定性要求：支持小型陶瓷电容（≥0.47μF）
调节类型：固定输出
RP131L131D-TR具备多项先进的电气与物理特性，使其在同类低压差稳压器中表现出色。首先，其超低静态电流（典型值1.0μA）显著延长了电池供电设备的工作时间，特别适用于可穿戴设备、物联网终端和无线传感器网络等对能耗极为敏感的应用场景。其次，该LDO具有出色的瞬态响应能力，在负载电流快速变化时能够迅速调整输出电压，维持电源稳定，避免因电压波动导致系统复位或数据错误。
另一个关键特性是其高纹波抑制比（RRS），在1kHz频率下可达70dB，这意味着它能有效滤除来自前级开关电源的高频噪声，为敏感的模拟电路或射频模块提供干净的供电环境。这对于提升通信质量和信号完整性至关重要。
该器件采用CMOS工艺制造，结合内部补偿电路设计，无需外接补偿电容即可稳定工作，仅需一个最小0.47μF的小尺寸陶瓷电容器即可实现完整去耦，大大节省了PCB空间并降低了物料成本。同时，DFN1010-4微型封装不仅体积小巧，还具备良好的热导性能，有助于将芯片产生的热量有效传导至PCB上，提高长期工作的可靠性。
此外，RP131L131D-TR集成了多重保护机制，包括自动恢复型过流保护和热关断保护，当发生短路或过载时，芯片会自动限制输出电流并在温度过高时关闭输出，防止损坏器件本身或其他周边电路。这些特性共同保证了系统在复杂工况下的稳定性和安全性。
RP131L131D-TR广泛应用于各种对空间和功耗有严格要求的便携式和嵌入式电子设备中。常见应用场景包括智能手机和平板电脑中的传感器供电模块，例如加速度计、陀螺仪和环境光传感器等，这些组件通常需要低噪声、低功耗的电源以确保测量精度和续航能力。
在物联网（IoT）领域，该LDO常用于Wi-Fi模组、蓝牙低功耗（BLE）收发器和Zigbee通信单元的电源管理部分，为其提供稳定的1.3V偏置电压，保障无线信号传输的稳定性和抗干扰能力。
此外，在可穿戴设备如智能手表、健康监测手环中，由于电池容量有限且内部结构紧凑，RP131L131D-TR凭借其微型封装和超低静态电流成为理想的电源解决方案。它也可用于微控制器单元（MCU）、实时时钟（RTC）和存储器芯片的辅助电源轨调节，尤其适合那些需要在睡眠模式下持续供电但仍需极低漏电的电路。
在工业自动化和医疗电子设备中，该LDO用于为高精度ADC、DAC和传感器前端供电，利用其高PSRR和低输出噪声特性来提升系统测量精度。总之，任何需要高效、小型化、低噪声电源调节的场合均可考虑采用RP131L131D-TR作为核心稳压元件。
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"RP131K131D-TR",
"XC6223B131MR-G",
"RT9062-13GB"
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