时间：2025/9/14 4:18:33
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PSMN3R3-40MSHX 是一款由 NXP（恩智浦）半导体公司制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率电源转换应用，如DC-DC转换器、同步整流器和负载开关。PSMN3R3-40MSHX 采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力，同时具备良好的热性能和可靠性。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：40V
栅源电压（Vgs）：±20V
漏极电流（Id）：180A（最大）
导通电阻（Rds(on)）：3.3mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：PowerSO-10
PSMN3R3-40MSHX MOSFET具备多项高性能特性，首先其导通电阻仅为3.3mΩ，这意味着在高电流条件下，导通损耗非常低，有助于提高电源转换效率。此外，该器件的最大漏极电流可达180A，适合高功率密度设计。其采用先进的沟槽技术，使得器件在高频率工作条件下仍能保持良好的性能。
该MOSFET的栅源电压为±20V，提供了较宽的控制范围，并能有效防止栅极过电压损坏。器件的工作温度范围广泛，从-55°C到+175°C，适用于恶劣环境条件下的应用。PSMN3R3-40MSHX采用PowerSO-10封装，具备良好的热管理能力，能够有效散热，确保长时间工作的稳定性。
PSMN3R3-40MSHX MOSFET广泛应用于各类电力电子系统中，尤其是在高效率电源转换领域。它常用于DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）中的负载开关以及电机控制电路。在服务器电源、通信电源和工业自动化设备中，该器件能够提供高效的能量转换和稳定的性能。
SiSSPM180P030B, IPP180N10N3 G, STP180N4F7
