时间：2025/7/22 19:37:28
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FQD60N03LTF 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，主要用于电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力，适用于高性能 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关以及电池管理系统等场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：60A
导通电阻（RDS(on)）：@VGS=10V时最大为0.014Ω，@VGS=4.5V时最大为0.023Ω
功率耗散（PD）：125W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：TO-252（DPAK）
FQD60N03LTF 具备一系列高性能特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其超低导通电阻（RDS(on)）能够显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件在 VGS=10V 时的 RDS(on) 最大为 0.014Ω，在 VGS=4.5V 时也仅为 0.023Ω，这意味着即使在较低的栅极驱动电压下也能保持良好的性能，适用于多种驱动电路。
其次，FQD60N03LTF 采用先进的沟槽技术，使其在小尺寸封装下仍能提供高达 60A 的连续漏极电流，适用于高功率密度设计。同时，该 MOSFET 的最大漏源电压为 30V，支持多种低压功率转换应用，如同步整流、DC-DC 转换器和负载开关。
此外，该器件的封装采用 TO-252（DPAK）形式，便于安装在 PCB 上，并具有良好的热性能，能够在高功率操作下保持稳定。FQD60N03LTF 的工作温度范围为 -55°C 至 175°C，适用于工业级和汽车级应用环境，具备较强的环境适应能力。
最后，该 MOSFET 内置快速恢复二极管，可减少外部元件数量，提高系统的可靠性。其栅极驱动电压范围较宽（±20V），允许灵活的驱动电路设计，适用于多种应用场景。
FQD60N03LTF 主要应用于需要高效能、高电流承载能力的电力电子系统中。常见用途包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电源管理系统以及电池供电设备。此外，该器件也适用于服务器电源、电信设备、电机控制和汽车电子系统等对效率和可靠性要求较高的场合。
FDB60N03AL，SiR686DP，IRL630，FDS6680，FDV303N
