时间：2025/7/15 18:44:15
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MGFS40053R3是一款由Mitsubishi Electric（三菱电机）制造的功率MOSFET，属于N沟道增强型场效应晶体管。该器件设计用于高功率开关应用，具备低导通电阻和高电流处理能力，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动和工业控制系统等领域。该MOSFET采用TO-263（D2PAK）表面贴装封装，有助于提高热性能和节省PCB空间。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：100A
最大漏-源电压（VDS）：50V
最大栅-源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：5.3mΩ @ VGS=10V
功率耗散（PD）：160W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：TO-263（D2PAK）
MGFS40053R3具有出色的导通性能和开关特性，适用于高频率和高效率的功率转换系统。
其低导通电阻（RDS(on)）为5.3mΩ，有助于降低导通损耗，提高系统效率。
该器件采用先进的沟槽栅极技术，提供优异的热稳定性和可靠性。
TO-263（D2PAK）封装具备良好的散热性能，适合表面贴装工艺，便于自动化生产和高密度布局。
其高电流承载能力（最大100A）使其适用于高功率负载场景，如电机控制、电源模块和电池管理系统。
此外，该MOSFET具有较强的抗雪崩能力和过载耐受性，适合在恶劣工作环境下运行。
MGFS40053R3广泛应用于各种功率电子系统中，包括：
高性能DC-DC转换器和同步整流器，用于通信电源、服务器电源和电动汽车充电系统。
电机驱动器和变频器，用于工业自动化和机器人控制系统。
电池管理系统（BMS），用于电动工具、电动车和储能设备中的充放电控制。
高功率负载开关和电源管理模块，用于工业设备和自动化控制系统。
此外，该器件也可用于逆变器、UPS不间断电源和太阳能逆变系统，提供高效、稳定的功率开关解决方案。
SiHF100N05YT, IRF1010E, FDP100N05B, FDS4410A, NTD100N05CL
