时间：2025/9/12 22:25:58
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SK320B TRTB 是一款由STMicroelectronics（意法半导体）推出的N沟道功率MOSFET。这款MOSFET适用于多种高功率应用，包括电源管理、电机控制、电池充电器和DC-DC转换器等。其高电流承载能力和良好的热性能使其在高负载条件下仍能保持稳定运行。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：200V
连续漏极电流（Id）：10A
功耗（Ptot）：40W
栅源电压（Vgs）：±30V
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-220
导通电阻（Rds(on)）：0.25Ω（最大）
SK320B TRTB 具有多种优良特性，首先，其漏源电压为200V，能够承受较高的电压应力，适用于中高功率的电源应用。其次，该MOSFET的连续漏极电流为10A，具备较强的电流承载能力，适合用于需要较高电流输出的电路设计。
此外，SK320B TRTB 的导通电阻最大为0.25Ω，较低的导通电阻可以减少导通损耗，提高系统效率，同时降低发热，提高整体系统的稳定性。该器件的封装为TO-220，具备良好的散热性能，适用于高功率密度的设计。
其栅源电压范围为±30V，具有较强的栅极驱动适应能力，能够在不同的驱动条件下保持稳定工作。该MOSFET还具有良好的热稳定性，可在-55°C至150°C的温度范围内可靠运行，适用于工业级和汽车电子等对环境要求较高的应用场景。
在保护特性方面，SK320B TRTB 具备过热保护和过流保护能力，能够在异常工况下防止器件损坏，提升系统的可靠性。
SK320B TRTB 常用于各种功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动电路、电池充电管理系统、工业自动化控制设备以及汽车电子系统等。由于其高耐压、高电流能力和良好的热管理性能，它特别适合用于需要稳定可靠功率控制的场合。
STP10NK50Z, IRF540N, FDPF10N20
