类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：500V
　　连续漏极电流（ID）：5.0A
　　导通电阻（RDS(on)）：≤ 1.4Ω
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2V~4V
　　最大功耗（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

FQD5N50C-NL具有多项优异的电气特性和设计优势，适用于多种功率电子应用。首先，其低导通电阻（RDS(on)）使得在导通状态下功率损耗较小，提高了整体系统的效率。其次，该器件的漏源电压（VDS）高达500V，能够承受较高的电压应力，适用于中高压应用环境。此外，FQD5N50C-NL的连续漏极电流为5A，足以应对许多中小型功率电路的需求。
　　在开关特性方面，FQD5N50C-NL具备较快的开关速度，有助于减少开关过程中的能量损耗，提高转换效率。同时，该MOSFET的栅极阈值电压（VGS(th)）在2V至4V之间，适合使用常见的逻辑电平驱动电路进行控制，便于集成到各种功率管理系统中。此外，FQD5N50C-NL的最大功耗为50W，具有良好的热稳定性，确保在较高温度环境下仍能可靠运行。
　　从封装角度来看，FQD5N50C-NL采用TO-252（DPAK）封装形式，这种表面贴装封装不仅便于PCB布局，而且具备较好的热传导性能，有助于散热。该封装结构还减少了器件的安装空间，适合紧凑型电子设备的设计需求。此外，该器件的工作温度范围为-55°C至+150°C，适应性广泛，能够在各种环境条件下保持稳定性能。

FQD5N50C-NL广泛应用于多个领域的电源管理系统和功率控制电路中。首先，它常用于AC-DC和DC-DC电源转换器中，作为开关元件以实现高效的能量转换。例如，在电源适配器、离线式电源模块和开关电源（SMPS）中，FQD5N50C-NL可以提供可靠的开关性能和较低的导通损耗，从而提高电源效率。
　　此外，该MOSFET也适用于马达控制电路，例如直流马达驱动器和步进马达控制器。由于其具备较高的漏源电压和较强的电流承载能力，可以在较高功率需求的马达控制系统中实现高效的功率开关控制。
　　在电池管理系统中，FQD5N50C-NL可以用于电池充放电控制、负载开关或保护电路。其较低的导通电阻有助于减少电池能量损耗，延长设备的续航时间。
　　该器件也适用于LED照明驱动电路，尤其是在高功率LED灯具的电源管理中。通过精确的开关控制，FQD5N50C-NL可以实现对LED光源的高效调光与稳定供电。
　　在工业自动化和控制设备中，该MOSFET可用于继电器替代、固态继电器（SSR）、电源管理模块等场合，提供快速响应和高可靠性。

FQA5N50C、FQP5N50C、IRF840、FDPF5N50、FDPF5N50U