IXTF03N400是一款由IXYS公司生产的高电压、低电流MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于需要高耐压和较高频率开关性能的应用场景。这款MOSFET的额定电压为400V,最大连续漏极电流为3A,适合用于电源转换器、开关电源(SMPS)、照明镇流器和其他高电压低电流的电子电路中。该器件采用了先进的平面技术,提供了良好的导通电阻和开关性能,同时具备较高的可靠性和耐用性。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):400V
最大栅源电压(Vgs):±30V
最大连续漏极电流(Id):3A
导通电阻(Rds(on)):约3Ω(典型值,具体取决于测试条件)
最大功耗(Pd):40W
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装类型:TO-220
IXTF03N400具有多个显著的技术特性。首先,其高耐压能力使其能够在400V的工作环境下稳定运行,适用于多种高电压应用。其次,该MOSFET的导通电阻较低,能够在导通状态下减少功率损耗,提高系统的整体效率。此外,IXTF03N400具备较高的栅极绝缘能力,栅源电压可承受±30V,从而提高了器件在复杂电气环境中的可靠性。
这款MOSFET采用了TO-220封装,便于散热和安装,适合在各种电路板设计中使用。TO-220封装也提供了良好的热管理和机械稳定性,确保器件在长时间运行中不会因过热而损坏。此外,IXTF03N400的开关速度快,适用于高频开关应用,能够有效减少开关损耗并提高系统响应速度。
IXTF03N400广泛应用于多个领域,包括但不限于开关电源(SMPS)、LED照明驱动器、电子镇流器、电池充电器、逆变器以及电机控制电路。在开关电源中,IXTF03N400可以作为主开关元件,用于高效地将输入电压转换为所需的输出电压。在LED照明系统中,该MOSFET可用于恒流驱动电路,确保LED灯的稳定亮度和长寿命。此外,IXTF03N400也可用于电源管理系统中的隔离式DC-DC转换器,提供高效的电压转换和隔离保护。
STP3NK40Z, FQP3N40, IRFR3708