时间：2025/6/12 5:12:57
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GA0402Y183KXXAP31G 是一种基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率晶体管。该器件采用先进的封装工艺，适用于高频开关应用，例如电源适配器、无线充电设备以及 LED 驱动电路等。得益于 GaN 材料的优异性能，该晶体管具备低导通电阻、快速开关速度和高工作频率的特点。
其设计优化了散热路径，适合高密度功率转换场景，同时支持更小的解决方案尺寸。
型号：GA0402Y183KXXAP31G
类型：增强型 GaN 功率晶体管
导通电阻（Rds(on)）：40mΩ（典型值，25℃）
击穿电压（BVDSS）：650V
栅极阈值电压（Vgs(th)）：1.5V - 4V
最大漏极电流（Id）：12A（脉冲）
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：P31G
GA0402Y183KXXAP31G 具备以下显著特点：
1. 极低的导通电阻，能够显著降低功率损耗。
2. 快速的开关速度，支持高达数 MHz 的工作频率，非常适合高频应用。
3. 内置 ESD 保护功能，提高了器件的可靠性。
4. 小型化封装设计，有助于减少 PCB 占用面积。
5. 支持宽输入电压范围，增强了系统设计的灵活性。
6. 热性能优越，能够在较高温度环境下稳定运行。
该器件广泛应用于各种高效能电力电子领域，包括但不限于：
1. USB-PD 电源适配器和快充模块。
2. 无线充电发射端与接收端。
3. 开关电源（SMPS）中的主开关管。
4. LED 驱动电路中的高频逆变器。
5. 工业自动化设备中的功率控制单元。
6. 消费类电子产品的小型化电源设计。
GA0402Y183KXXAP32G, GA0402Y183KXXAP33G
