时间：2025/5/20 16:27:21
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FQD3N60CTM-WS是一款高压N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率切换的应用场景。该器件采用TO-252封装形式，具有较低的导通电阻和较高的耐压能力，能够有效减少功率损耗并提升系统效率。
这款MOSFET的特点在于其出色的开关性能以及耐用性，适合对效率和可靠性要求较高的应用环境。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：3.4A
导通电阻：1.9Ω
栅极电荷：30nC
总电容（输入电容）：570pF
漏源极电荷：14nC
功耗：15W
工作温度范围：-55℃至+150℃
FQD3N60CTM-WS具备以下主要特性：
1. 高击穿电压（600V），适合高压应用场景。
2. 极低的导通电阻（1.9Ω典型值），有助于降低导通损耗。
3. 快速开关性能，能够适应高频电路需求。
4. 较小的封装尺寸（TO-252），节省PCB空间。
5. 支持高电流输出（最大3.4A连续漏极电流）。
6. 宽广的工作温度范围（-55℃至+150℃），确保在极端条件下稳定运行。
7. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
FQD3N60CTM-WS广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）及适配器。
2. DC-DC转换器和逆变器。
3. 电机驱动与控制电路。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. 照明系统的电子镇流器和LED驱动器。
6. 各种需要高压切换的消费类电子产品。
由于其优异的电气特性和紧凑的封装形式，该器件非常适合用作高效能功率开关。
FQD3N60, IRF640, STP3NB60Z
