PDTA143ZM 是一款由 Diodes Incorporated 生产的 NPN 型晶体管,属于双极性晶体管(BJT)类别。这款晶体管专为高频率和高增益应用设计,常用于射频(RF)放大器、开关电路以及低噪声放大器(LNA)等场景。PDTA143ZM 采用 SOT-23 封装,适合高密度 PCB 设计,且具有良好的热稳定性和高频性能。
晶体管类型:NPN
封装类型:SOT-23
最大集电极电流(Ic):100 mA
最大集电极-发射极电压(Vce):30 V
最大集电极-基极电压(Vcb):30 V
最大功耗(Ptot):300 mW
最大工作温度:150 °C
增益带宽积(fT):250 MHz
电流增益(hFE):110 - 800(取决于工作条件)
PDTA143ZM 晶体管具备出色的高频性能,其增益带宽积高达 250 MHz,适合用于射频和中频放大电路。该器件的 hFE 值范围较广,从 110 到 800 不等,使得它在不同偏置条件下都能保持良好的增益特性。此外,该晶体管的低噪声系数使其成为低噪声放大器设计的理想选择。SOT-23 封装不仅体积小巧,而且具有良好的热性能,适合表面贴装技术(SMT)生产工艺。PDTA143ZM 还具备较高的可靠性,适用于工业和通信设备中的关键电路应用。
在电气特性方面,PDTA143ZM 的最大集电极电流为 100 mA,集电极-发射极和集电极-基极的最大击穿电压均为 30 V,使其能够在较宽的电压范围内工作。其最大功耗为 300 mW,能够在较高的环境温度下保持稳定运行。该晶体管的热阻较低,有助于在高负载条件下有效散热,从而提高整体电路的稳定性和寿命。
PDTA143ZM 主要应用于射频和中频放大器、低噪声放大器(LNA)、开关电路、振荡器、混频器以及各类模拟和数字电路中。它特别适合用于无线通信设备、无线局域网(WLAN)、蜂窝网络基础设施、测试仪器以及音频放大电路。此外,由于其高频特性和低噪声性能,PDTA143ZM 也广泛用于各种射频识别(RFID)系统和传感器接口电路中。
2N3904, BC547, BFQ54