时间：2025/5/26 11:45:19
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FQD13N06TM是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于开关和功率管理领域。该器件具有低导通电阻、快速开关速度以及出色的热稳定性，适合于多种高频和高效率的电路设计。其额定电压为60V，能够承受较高的漏源电压，同时具备良好的电流处理能力。
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：13A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ
总功耗(Ptot)：169W
结温范围(Tj)：-55℃至+175℃
封装形式：TO-220
FQD13N06TM具有较低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高整体效率。
该器件支持高速开关操作，适用于高频应用环境。
它具备强大的雪崩能量能力，可以有效保护电路免受异常瞬态电压的影响。
FQD13N06TM采用了优化的芯片设计，确保了在高温条件下的可靠性和稳定性。
其紧凑的封装形式便于安装和散热管理，非常适合空间受限的设计需求。
FQD13N06TM广泛用于直流-直流转换器、开关电源(SMPS)、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率切换的电子设备中。
它也适用于负载开关、电池保护和汽车电子等场景，因其高可靠性和耐久性而备受青睐。
此外，该器件还被用作功率放大器中的开关元件，以实现音频信号的高效传输和控制。
在工业自动化领域，这款MOSFET可用于电磁阀驱动和灯光控制系统。
凭借其优越的性能指标，FQD13N06TM成为了许多高性能电子产品设计的理想选择。
IRFZ44N
STP13NF06L
FDP13N6
IXFN13N60T
BUK458-60E
