2N6768 时间：2025/9/4 0:26:06 阅读：3

2N6768是一款N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由ON Semiconductor生产。该器件广泛用于需要高电流、高电压和高效能的开关应用，例如电源转换器、电机控制、照明系统以及各种工业和汽车电子系统。2N6768采用了先进的工艺技术，具备低导通电阻（RDS(on)）特性，从而降低了功率损耗，提高了系统的整体效率。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　漏极电流（ID）：连续30A（最大）
　　功耗（PD）：178W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　导通电阻（RDS(on)）：最大0.044Ω（在VGS=10V时）
　　栅极电荷（Qg）：约80nC
　　封装形式：TO-220AB

特性

2N6768具有多项显著的性能特点，使其适用于高要求的功率电子应用。首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保了在高电流工作条件下，功率损耗和发热均被有效控制，从而提高了系统的能效和可靠性。其次，该器件的最大漏源电压（VDS）为100V，可承受较高的电压应力，适用于多种DC-DC转换器、电机驱动器和负载开关设计。
　　此外，2N6768具备高达30A的连续漏极电流能力，使其能够胜任大功率负载的开关任务。其±20V的栅源电压（VGS）允许使用较高的驱动电压以确保快速开关动作，同时防止因过压而导致的栅极击穿。在热性能方面，TO-220AB封装提供了良好的散热能力，确保在高功率环境下仍能稳定工作。
　　该器件还具有较低的栅极电荷（Qg），有助于提高开关速度，减少开关过程中的能量损耗，适用于高频开关电源和同步整流电路。其宽泛的工作温度范围（-55°C至+175°C）使其在极端环境条件下也能可靠运行，适合工业控制和汽车电子等对可靠性要求较高的应用场景。

应用

2N6768因其优异的电气和热性能，广泛应用于多个领域。在电源管理方面，它常用于开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、电池充电器等设计中，提供高效的功率开关功能。在电机控制方面，该器件可用于H桥电路中的上下桥臂开关，实现对直流电机或步进电机的高效控制。
　　此外，2N6768还常用于LED照明驱动电路、电子负载开关、逆变器系统以及工业自动化设备中的功率控制模块。在汽车电子领域，该器件适用于车载电源系统、电动助力转向系统（EPS）以及汽车照明控制等应用场景。
　　由于其良好的高频特性和低导通电阻，2N6768也非常适合用于同步整流电路，以提升电源转换效率。在太阳能逆变器和储能系统中，该器件同样可以作为主开关元件，实现高效的能量转换。