H27UBG8U5ATRBI 是由SK Hynix(海力士)生产的一款NAND闪存芯片。这款芯片属于高密度存储器件,广泛用于需要大容量数据存储的应用场景,如固态硬盘(SSD)、嵌入式系统和存储卡等。该芯片采用BGA封装,具有较高的读写速度和较长的使用寿命,适用于消费类电子产品及工业级设备。
制造商: SK Hynix
产品类型: NAND Flash
存储容量: 8GB
封装类型: BGA
工作温度范围: -40°C 至 +85°C
接口类型: ONFI 2.3
电源电压: 3.3V
读取速度: 最大40MB/s
写入速度: 最大20MB/s
可靠性: 10万次擦写周期
H27UBG8U5ATRBI 是一款基于NAND Flash技术的非易失性存储器,具备较高的存储密度和较低的功耗,适合便携式设备和嵌入式系统使用。其ONFI 2.3接口标准使其与主控芯片的连接更加高效稳定。该芯片支持ECC(错误校正码)功能,确保数据的完整性和可靠性。此外,它具备良好的抗干扰能力和较高的数据保持时间,可在恶劣环境下稳定运行。
这款NAND Flash芯片采用了先进的制造工艺,提供8GB的大容量存储空间,并通过优化设计提高了数据传输速度,特别是在连续读写操作中表现出色。其-40°C至+85°C的工作温度范围使其能够适应工业级应用环境,确保在极端温度下仍能稳定运行。
在数据安全性方面,H27UBG8U5ATRBI支持多种数据保护机制,包括硬件写保护和坏块管理,有助于防止数据丢失或损坏。同时,其10万次擦写周期的耐久性也延长了设备的使用寿命,降低了维护成本。
H27UBG8U5ATRBI 主要用于各种需要大容量存储的电子设备中,包括但不限于以下应用领域:
? 固态硬盘(SSD)
? 工业控制设备
? 嵌入式系统
? 存储卡(如SD卡、CF卡)
? 数码相机和摄像机
? 车载导航系统
? 通信设备(如路由器、交换机)
? 安防监控设备
由于其高可靠性和宽温工作范围,该芯片特别适合对稳定性和耐用性要求较高的工业和车载应用。
H27UBG8T2ATR-BC, H27UAG8T2AUR RBC, H27UBG8V5ATR-BC