类型: N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）: 12A
　　漏源击穿电压（VDS）: 200V
　　栅源击穿电压（VGS）: ±30V
　　导通电阻（RDS(on)）: 0.25Ω（典型值）
　　栅极电荷（Qg）: 30nC（典型值）
　　工作温度范围: -55°C 至 +150°C
　　封装类型: TO-252（DPAK）

FQD12N20LTM 的主要特性包括低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性。其导通电阻仅为 0.25Ω，能够在高电流工作条件下减少功率损耗，提高整体系统效率。该器件的漏源击穿电压为 200V，能够承受较高的电压应力，适用于中高压电源转换应用。此外，该 MOSFET 具有良好的热阻性能和较高的工作温度容忍度，可在高温环境下稳定工作。
　　另一个显著特点是其具备良好的抗雪崩击穿能力，这使得 FQD12N20LTM 在开关过程中能够承受瞬时高电压和高电流，从而提高系统的可靠性和耐用性。栅极电荷（Qg）为 30nC，表明其开关速度较快，适合高频开关应用。TO-252 封装形式使其适用于表面贴装技术，便于自动化生产并减少 PCB 空间占用。

FQD12N20LTM 广泛应用于多种电源管理和功率控制电路中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统和负载开关电路。由于其具备较高的耐压能力和较低的导通电阻，该 MOSFET 特别适合用于需要高效能和高可靠性的工业控制、消费电子和汽车电子等领域。例如，在电源适配器或充电器中，FQD12N20LTM 可用作主开关管，实现高效的能量转换；在电机驱动系统中，它可以作为 H 桥结构中的功率开关元件，实现电机的正反转控制及能耗制动。

FQA12N20C, FQP12N20, IRF840, FDD12N20A