类型：Flash Memory
　　容量：1 Mbit
　　接口类型：SPI（Serial Peripheral Interface）
　　工作电压：2.3V 至 3.6V
　　最大时钟频率：80 MHz
　　读取电流：5 mA（典型值）
　　擦写电流：10 mA（典型值）
　　待机电流：1 μA（最大值）
　　封装类型：8-Pin SOIC
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

SU2013100YLB 具有多种高性能特性，使其在嵌入式系统中表现出色。首先，其 SPI 接口提供了简单且高效的与主控器件的通信方式，适用于需要高速数据传输的应用。该芯片支持单线和双线 SPI 模式，进一步提升了数据传输的灵活性。其次，SU2013100YLB 的低功耗设计使其非常适合电池供电设备或对功耗敏感的应用场景。在待机模式下，其电流消耗极低，有助于延长设备的电池寿命。此外，这款闪存芯片具备卓越的耐用性和可靠性，支持高达 100,000 次的擦写操作，并提供 10 年的数据保持能力。这确保了芯片在长期使用中的稳定性和数据完整性。芯片内部集成了多种保护机制，包括软件和硬件写保护功能，防止意外的数据修改或擦除，从而提高了系统的安全性。最后，该芯片的封装形式为 8-Pin SOIC，体积小巧，适合空间受限的设计。这使得 SU2013100YLB 在各种应用中具有高度的适应性和灵活性。

SU2013100YLB 广泛应用于多种嵌入式系统和电子设备中。常见的应用包括微控制器的外部代码存储、固件存储、数据记录器、工业控制系统、消费类电子产品、通信模块以及物联网（IoT）设备。由于其低功耗和高性能的特性，它也常用于需要长时间运行且依赖电池供电的设备中，例如便携式医疗设备、智能卡终端和无线传感器网络。

AT25SF011, W25Q128JV, MX25L1006E