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GA1206A5R6DXABP31G 发布时间 时间:2025/5/16 17:04:15 查看 阅读:28

GA1206A5R6DXABP31G 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效率功率晶体管,适用于高频和高功率密度的应用场景。该器件采用了先进的封装技术,能够提供卓越的热性能和电气性能。其设计旨在满足现代电源转换系统对更高效率、更小尺寸和更低开关损耗的需求。

参数

型号:GA1206A5R6DXABP31G
  类型:GaN 功率晶体管
  额定电压:650V
  额定电流:12A
  导通电阻:4.5mΩ(典型值)
  最大栅极驱动电压:6V
  最小栅极驱动电压:4V
  开关频率范围:高达 5MHz
  封装形式:DFN8
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

GA1206A5R6DXABP31G 的主要特性包括低导通电阻、快速开关速度以及出色的热性能。
  1. 低导通电阻确保了在高电流应用中的低功耗,从而提高了整体系统效率。
  2. 快速开关速度支持高频操作,使设计师能够使用更小的磁性元件,进一步缩小系统的尺寸和重量。
  3. 先进的封装设计提供了良好的散热能力,能够在高温环境下稳定运行。
  4. 内置保护功能,如过流保护和短路保护,增强了器件的可靠性和安全性。

应用

该芯片广泛应用于各种高效率电源转换场景,例如:
  1. 开关电源 (SMPS)。
  2. 电动车车载充电器 (OBC)。
  3. 数据中心服务器电源。
  4. USB-PD 快速充电器。
  5. 能量存储系统 (ESS) 中的 DC/DC 和 DC/AC 转换器。
  6. 无线充电设备。
  由于其高频特性和高效性能,它特别适合需要小型化和高性能的电力电子应用。

替代型号

GAN063-650WSA
  GAN064-650WSAQ
  TP65H150G4LSG

GA1206A5R6DXABP31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容5.6 pF
  • 容差±0.5pF
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-