时间：2025/5/23 11:00:08
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FQB9N50是一种高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），通常用于开关电源、电机驱动和逆变器等应用。该器件具有高电压耐受能力，低导通电阻以及快速开关速度等特点，能够有效提高系统效率并降低功耗。
该器件采用N沟道增强型技术，其额定电压为900V，能够在高频和高压条件下稳定工作。此外，它还具备良好的热性能和抗雪崩能力，适合各种严苛的工作环境。
额定电压：900V
额定电流：0.62A
导通电阻：1800mΩ
栅极电荷：18nC
最大功耗：1.4W
结温范围：-55℃至175℃
FQB9N50具有以下主要特性：
1. 高电压耐受能力，额定电压达到900V，适用于高压应用场景。
2. 低导通电阻设计，在额定电流下导通电阻仅为1800mΩ，有助于减少功率损耗。
3. 快速开关速度，栅极电荷小至18nC，可实现高效开关操作。
4. 良好的热性能和稳定性，支持高达175℃的结温范围，适应恶劣环境。
5. 强大的抗雪崩能力，能够在短路或过载情况下提供额外保护。
6. 小巧封装设计，便于PCB布局和安装。
FQB9N50广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关元件。
2. 电机驱动电路，用于控制直流电机的速度和方向。
3. 太阳能逆变器中的功率转换模块。
4. LED驱动器中作为开关元件以调节输出电流。
5. 各种工业自动化设备中的高压开关组件。
6. 电磁阀和其他负载的驱动控制。
FQD9N50
FQA9N50
