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C2D05120E-TR 发布时间 时间:2025/12/28 16:21:56 查看 阅读:26

C2D05120E-TR是一种双刀双掷(DPDT)模拟开关,通常用于需要高隔离度和低导通电阻的应用。该器件由Intersil公司生产,采用CMOS工艺制造,具有低功耗和高可靠性。C2D05120E-TR封装为16引脚TSSOP,适用于各种工业和通信设备。

参数

类型:模拟开关
  通道数:2
  开关配置:双刀双掷(DPDT)
  导通电阻:典型值为50Ω
  隔离度:在1MHz时为45dB
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  电源电压范围:4.5V至12V
  封装类型:16引脚TSSOP

特性

C2D05120E-TR具有出色的电气性能和可靠性。其低导通电阻确保了信号传输的完整性,而高隔离度则有效防止了通道之间的串扰。该器件的宽电源电压范围使其适用于多种电源配置,并且能够在不同的工作条件下保持稳定性能。C2D05120E-TR的CMOS工艺提供了低功耗操作,非常适合对功耗敏感的应用。此外,其16引脚TSSOP封装使其易于集成到紧凑的电路设计中。
  在应用中,C2D05120E-TR可以用于信号路由、测试设备、通信系统以及工业控制设备。它能够处理高频信号,并且在宽温度范围内保持稳定的工作性能,适合在苛刻的工业环境中使用。其高可靠性和耐用性使其成为长期运行设备的理想选择。

应用

C2D05120E-TR常用于通信设备中的信号切换、测试仪器中的多路复用、工业控制系统中的信号路由以及需要高隔离度和低导通电阻的模拟信号处理应用。

替代型号

C2D05120E-TR的替代型号包括MAX4544、ADG419、以及TMUX1134。

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C2D05120E-TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列Zero Recovery?
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 技术SiC(Silicon Carbide)Schottky
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)1200 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)17.5A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.8 V @ 5 A
  • 速度无恢复时间 > 500mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr)0 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏200 μA @ 1200 V
  • 不同?Vr、F 时电容455pF @ 0V,1MHz
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
  • 供应商器件封装TO-252-2
  • 工作温度 - 结-55°C ~ 175°C