DMP2016UFDF是一款N沟道增强型MOSFET晶体管,采用小型化的UFDFN封装形式。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能等特点,适合用于各种功率转换和负载开关应用。其优化的结构设计使其能够在高频工作条件下保持高效的性能表现。
这款MOSFET广泛应用于消费电子、通信设备以及工业控制等领域,例如DC-DC转换器、电池管理系统、LED驱动电路等场景。
最大漏源电压:30V
最大栅源电压:±8V
连续漏极电流:4.7A
导通电阻(Rds(on)):5mΩ(典型值,Vgs=10V时)
总功耗:1.3W
工作结温范围:-55℃至+150℃
封装形式:UFDFN-6(2x2mm)
输入电容:360pF
该器件具备非常低的导通电阻,在特定的工作条件下能够显著减少功率损耗,提升整体效率。
由于采用了先进的制造工艺,DMP2016UFDF拥有快速的开关速度,可以满足高频应用的需求。
其小型化的UFDFN封装有助于节省PCB空间,并且提供了优良的散热能力。
DMP2016UFDF还具有较高的电气强度和稳定性,能够在严苛的环境下长期可靠地运行。
DMP2016UFDF适用于多种电力电子应用,包括但不限于以下领域:
1电源管理模块。
2. 笔记本电脑适配器及充电器内的同步整流电路。
3. 便携式电子设备中的负载开关和保护电路。
4. 消费类电子产品如电视、音响系统中的功率调节单元。
5. 工业自动化设备中的信号切换与功率控制。
6. LED照明系统的驱动电路设计。
DMN2016UFDF
Si2303DS
FDMC880E