时间：2025/6/4 4:30:35
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DMP2016UFDF是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，采用小型化的UFDFN封装形式。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能等特点，适合用于各种功率转换和负载开关应用。其优化的结构设计使其能够在高频工作条件下保持高效的性能表现。
这款MOSFET广泛应用于消费电子、通信设备以及工业控制等领域，例如DC-DC转换器、电池管理系统、LED驱动电路等场景。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：4.7A
导通电阻（Rds(on)）：5mΩ（典型值，Vgs=10V时）
总功耗：1.3W
工作结温范围：-55℃至+150℃
封装形式：UFDFN-6(2x2mm)
输入电容：360pF
该器件具备非常低的导通电阻，在特定的工作条件下能够显著减少功率损耗，提升整体效率。
由于采用了先进的制造工艺，DMP2016UFDF拥有快速的开关速度，可以满足高频应用的需求。
其小型化的UFDFN封装有助于节省PCB空间，并且提供了优良的散热能力。
DMP2016UFDF还具有较高的电气强度和稳定性，能够在严苛的环境下长期可靠地运行。
DMP2016UFDF适用于多种电力电子应用，包括但不限于以下领域：
1电源管理模块。
2. 笔记本电脑适配器及充电器内的同步整流电路。
3. 便携式电子设备中的负载开关和保护电路。
4. 消费类电子产品如电视、音响系统中的功率调节单元。
5. 工业自动化设备中的信号切换与功率控制。
6. LED照明系统的驱动电路设计。
DMN2016UFDF
Si2303DS
FDMC880E
