时间：2025/6/11 16:03:34
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FQB7N10L 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，由 Fairchild Semiconductor（现为 ON Semiconductor）生产。该器件采用 SO-8 封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC 转换器以及负载开关等领域。
该器件的设计目标是满足高效能和紧凑空间的应用需求，同时具备出色的热特性和电气性能。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：7A
导通电阻（Rds(on)）：26mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：4.5nC（典型值）
输入电容：950pF（典型值）
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：SO-8
FQB7N10L 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，能够显著降低传导损耗并提升系统效率。
2. 快速开关能力，适用于高频应用，如开关电源和 DC-DC 转换器。
3. 高雪崩能量能力，提高了在异常条件下的可靠性。
4. 紧凑的 SO-8 封装，适合对空间要求严格的电路设计。
5. 较高的漏源电压（100V），使其能够在多种电压环境下稳定运行。
6. 具备良好的热稳定性，确保在高温条件下长期使用。
FQB7N10L 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率转换模块。
2. 各类 DC-DC 转换器，例如降压或升压电路。
3. 电池管理系统中的负载开关。
4. 电机驱动电路，支持小功率直流电机的控制。
5. 便携式电子设备中的电源管理单元。
6. 过流保护和电子保险丝等安全相关功能。
FQP50N06L, IRLZ44N, AO3400A
