最大重复反向电压（VRRM）：100V
　　最大平均整流电流（IO）：200mA
　　峰值浪涌电流（IFSM）：500mA
　　反向漏电流（IR）：100nA（最大）
　　正向电压降（VF）：1.0V（最大，在IF=10mA时）
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　存储温度范围：-65℃至+150℃

LMBD4148LT1G的主要特性之一是其快速恢复时间，这使得它在高频开关电路中表现出色。其恢复时间通常低于4ns，能够有效减少开关损耗并提高电路效率。此外，该二极管的低电容特性（通常为4pF左右）使其在射频（RF）和高速数字电路中具有良好的性能。
　　另一个显著的特性是其高可靠性。LMBD4148LT1G采用先进的硅技术制造，具有较强的抗静电能力和稳定的电气性能，适用于严苛的工作环境。同时，该器件采用SOD-123封装，尺寸小巧，便于在高密度PCB设计中使用。
　　此外，LMBD4148LT1G具有良好的热稳定性，能够在较高的工作温度下保持稳定的性能。这使得它适用于需要长时间运行的工业设备和电源管理系统。

LMBD4148LT1G广泛应用于高频开关电路、整流电路和电压钳位保护电路。例如，在电源管理模块中，它可以用于防止反向电流流动或作为输入保护器件。在通信设备中，该二极管可用于射频信号的整流和检测。此外，它还常用于计算机、消费电子产品和工业控制系统中的开关电源和DC-DC转换器中。
　　由于其快速恢复时间和低电容特性，LMBD4148LT1G特别适合用于高频整流和高速开关应用，如马达驱动器、继电器驱动器和脉冲电路。此外，它也可以用于信号检测、电压倍增器和保护电路中，以确保电路的安全性和稳定性。

1N4148, LL4148, BAS416, MMBD4148