时间：2025/5/8 17:58:38
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FQB7N10是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它通常用于开关和功率管理应用中，具有低导通电阻和快速开关速度的特点。该器件适合在高频和高效率的电源转换电路中使用。
最大漏源电压：100V
最大连续漏极电流：7A
导通电阻：95mΩ
栅极电荷：28nC
总电容：420pF
工作温度范围：-55℃ to 150℃
FQB7N10采用了先进的制造工艺，确保了其具备较低的导通电阻，从而减少功率损耗并提高系统效率。
该MOSFET还拥有出色的开关性能，能够适应高频应用场景的需求。
此外，它的高雪崩能量能力提高了整体的可靠性，使其能够在恶劣环境下稳定运行。
FQB7N10的设计使得其可以承受较大的电流，并且具有较高的耐压能力，非常适合应用于各种电源管理和控制电路中。
FQB7N10广泛应用于多种领域，例如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动、逆变器以及各类电源适配器。
由于其优良的电气特性和热稳定性，该MOSFET特别适合于需要高效能和高可靠性的电子设备中。
同时，它也可以用作电池保护电路中的关键元件，以防止过充或过放对电池造成损害。
另外，在汽车电子系统中，如启动马达控制、LED照明驱动等方面也有广泛应用。
IRFZ44N
STP75NF06
FDP5500
IXYS2N60G
