25TQC5R6M 时间：2025/12/28 10:07:01 阅读：14

25TQC5R6M是一款由ROHM Semiconductor生产的铁电随机存取存储器（FRAM）芯片。该器件结合了传统RAM的高速读写能力和非易失性存储器的数据保持能力，能够在断电后依然保存数据，且无需备用电池。这款FRAM产品采用先进的铁电技术，相较于传统的EEPROM和闪存，具有更高的写入耐久性、更快的写入速度以及更低的功耗。25TQC5R6M属于串行外设接口（SPI）兼容的存储器设备，封装形式为SOP-8，适用于空间受限但需要高可靠性存储的应用场景。其命名中的'25T'通常代表SPI接口的FRAM，'Q'可能表示SOP封装，'C'表示工作温度范围（商业级0°C至+70°C），'5R6M'则表示存储容量为5.6Mbit（即768KB）。该器件广泛应用于工业控制、医疗设备、消费电子和智能仪表等领域，用于记录传感器数据、配置参数或事件日志等关键信息。

参数

制造商：ROHM Semiconductor
　　系列：Excelon Ultra
　　存储类型：非易失性
　　存储容量：5.6Mbit
　　存储格式：SRAM
　　接口类型：SPI
　　时钟频率：80MHz
　　工作电压：2.7V ~ 3.6V
　　工作温度：0°C ~ +70°C
　　封装/外壳：SOP-8

特性

25TQC5R6M作为ROHM Excelon Ultra系列的高性能FRAM产品，具备卓越的写入性能和无限次的耐久性。其最显著的特性之一是写入操作无需等待时间（No Write Delay），这意味着在写入指令发出后可立即进行下一次操作，极大提升了系统效率。相比之下，传统EEPROM或NAND/NOR闪存在写入后需等待数毫秒的编程周期才能继续操作。此外，该芯片支持高达10^14次的读写耐久性，远超普通EEPROM的10^6次和闪存的10^5次，使其非常适合频繁写入的应用场合。
　　该器件的低功耗设计也是一大亮点。在主动读写模式下电流仅为3mA左右，在待机或休眠模式下电流可低至1μA以下，有助于延长电池供电设备的使用寿命。同时，其数据保持时间长达10年以上，即使在高温环境下也能稳定保存信息。25TQC5R6M还集成了高级数据保护机制，包括软件和硬件写保护功能，防止意外写入或擦除，确保关键数据的安全性。
　　该芯片支持标准SPI通信协议（Mode 0, Mode 3），并兼容3线或4线SPI接口，便于与各类微控制器集成。它还具备快速字节写入和顺序读取功能，读写速度接近SRAM水平。片上自动地址递增功能简化了多字节数据存储操作。此外，ROHM的Excelon Ultra系列FRAM采用可靠的铁电材料（如锆钛酸铅PZT），在制造过程中不使用有害物质，符合RoHS环保要求，并具备良好的抗辐射和抗磁场干扰能力，适用于高可靠性工业和医疗环境。

应用

25TQC5R6M广泛应用于对数据写入速度、耐久性和可靠性要求较高的嵌入式系统中。典型应用场景包括工业自动化设备中的实时数据记录，例如PLC控制器采集的传感器信号、运行日志和故障代码存储。在智能电表、水表和燃气表中，该芯片可用于保存计量数据和用户配置信息，避免因频繁断电导致数据丢失。医疗设备如便携式监护仪、血糖仪等利用其快速写入和非易失性特点，可靠地记录患者生命体征和操作历史。
　　在消费类电子产品中，25TQC5R6M可用于高清摄像头的图像元数据存储、打印机墨盒信息记录以及智能家居设备的用户偏好设置保存。汽车电子系统中，它可作为ECU模块中的配置存储器，记录车辆状态和诊断信息。此外，在POS终端、条码扫描器和RFID读写器中，该FRAM用于快速保存交易数据和设备日志，提升系统响应速度和数据安全性。由于其宽电压工作范围和稳定的性能表现，也适合部署在户外或环境变化较大的应用场景中。