时间：2025/5/19 12:01:30
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FQB5N60CTM-WS是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220封装形式。这款器件主要用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各类工业应用中，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够在高频工作条件下提供高效的性能表现。
该器件由Fairchild Semiconductor（现为ON Semiconductor的一部分）制造，广泛应用于需要高效能和低功耗的场景。
最大漏源电压：600V
最大连续漏极电流：5.3A
最大脉冲漏极电流：14.9A
导通电阻（典型值）：1.2Ω
栅极阈值电压：4V
最大功耗：180W
结温范围：-55℃至+150℃
FQB5N60CTM-WS具有以下主要特性：
1. 高耐压能力，最大漏源电压可达600V，适合高压应用环境。
2. 低导通电阻设计，有助于降低传导损耗并提高系统效率。
3. 快速开关特性，支持高频操作，适用于开关电源及高频逆变器等应用。
4. 内置齐纳二极管保护功能，有效防止栅极过压损坏。
5. 热稳定性良好，在较宽的温度范围内能够保持可靠的性能表现。
6. TO-220封装形式，便于散热管理，适合多种应用场景。
FQB5N60CTM-WS适用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动与控制
4. 工业自动化设备中的功率控制
5. 汽车电子系统的辅助功率模块
6. 各类需要高压、高效功率切换的应用场景
FQD17N60C, FQA16N60C
