类型：NPN 型晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
　　最大基极-发射极电压（Veb）：5 V
　　最大耗散功率（Ptot）：300 mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　增益带宽积（fT）：250 MHz
　　噪声系数（NF）：0.8 dB（典型值）
　　封装形式：SOT-23

DMF2183 晶体管的主要特性之一是其出色的低噪声性能，这使得它在音频和射频放大电路中表现出色。其噪声系数在典型工作条件下仅为 0.8 dB，能够有效减少信号放大过程中的噪声干扰，从而提升信号的清晰度和保真度。此外，该晶体管具有较高的增益带宽积（fT），达到 250 MHz，使其适用于高频信号放大应用。DMF2183 的电流增益（hFE）在不同工作条件下表现出良好的稳定性和一致性，确保了电路设计的可靠性。
　　该器件的封装形式为 SOT-23，这是一种小型表面贴装封装，适合现代高密度 PCB 设计。SOT-23 封装不仅节省空间，还提供了良好的热管理和电气性能。DMF2183 的最大集电极电流为 100 mA，最大集电极-发射极电压为 30 V，使其适用于多种中低功率放大电路。
　　此外，DMF2183 在工作温度范围内（-55°C 至 +150°C）保持良好的性能稳定性，适用于各种恶劣环境下的电子设备。其最大耗散功率为 300 mW，确保了在较高工作电流下仍能保持较低的温升。

DMF2183 通常用于音频前置放大器、射频信号放大器、低噪声放大器（LNA）以及各种需要高增益、低噪声的电子电路中。由于其高频性能和低噪声特性，该晶体管广泛应用于无线通信设备、音频放大系统、仪表测量设备以及便携式电子产品中。
　　在无线通信系统中，DMF2183 可用于接收器的前端放大电路，作为低噪声放大器（LNA）以提高信号的接收灵敏度。在音频设备中，它可以作为前置放大器使用，用于增强微弱的音频信号，从而提升音频系统的整体性能。此外，DMF2183 还可用于传感器信号放大、模拟开关电路以及各种模拟电子电路设计中，提供稳定的放大性能。
　　该晶体管还适用于需要较高稳定性和可靠性的工业控制系统、测试仪器以及消费类电子产品。例如，在便携式电子设备中，DMF2183 的小型 SOT-23 封装使其非常适合用于空间受限的设计，同时其低功耗特性也有助于延长设备的电池寿命。

2N3904, BC547, 2N4401