时间：2025/8/6 18:31:14
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FQB44N08是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由安森美半导体（ON Semiconductor）制造。该器件专为高性能开关应用而设计，具备高耐压、低导通电阻和优异的热稳定性，适用于各类电源管理和功率转换系统。FQB44N08采用TO-252（DPAK）封装形式，具有较高的功率密度和较小的封装体积，适用于紧凑型设计。
类型：N沟道
最大漏极电流（ID）：44A
漏源电压（VDS）：80V
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大值为0.017Ω（在VGS=10V时）
功耗（PD）：125W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：TO-252（DPAK）
FQB44N08具备多项高性能特性，适合广泛的应用场景。其导通电阻非常低，仅为0.017Ω，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。低导通电阻也意味着在大电流条件下，MOSFET的温升较低，从而提高了系统的可靠性。
此外，FQB44N08的栅极电荷（Qg）较低，使其在高频开关应用中表现出色，能够有效减少开关损耗，提高整体能效。这对于电源转换器、DC-DC变换器和电机控制等高频应用尤为重要。
该MOSFET还具有良好的热管理能力，TO-252封装提供了良好的散热性能，确保在高负载条件下依然保持稳定运行。FQB44N08的耐压能力强，漏源电压可达80V，适用于多种中高功率应用。
该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持+10V至+20V的驱动电压，便于与多种驱动电路兼容。FQB44N08还具备较强的短路耐受能力，能够在短时间内承受较高的电流冲击，增强了系统的稳定性与安全性。
FQB44N08广泛应用于各种电源管理系统和功率电子设备中。例如，在DC-DC转换器中，该MOSFET可作为主开关器件，提供高效的能量转换能力；在同步整流电路中，它能够显著降低导通损耗，提高整流效率。
此外，该器件也常用于电机控制、电源管理模块、电池管理系统（BMS）以及各种工业自动化设备中的功率控制单元。FQB44N08的高可靠性和优异的热性能使其在汽车电子、新能源系统（如太阳能逆变器）、消费类电子产品电源模块中也有广泛应用。
FQP44N08、IRF44N08、STP44N08
