时间：2025/6/4 17:13:00
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FQB2NA90 是一款 N 沣道通的增强型功率 MOSFET，采用 TO-252 封装。这款器件主要用于开关电源、直流电机驱动、负载切换以及其他需要高效功率转换的应用场景。
该 MOSFET 的核心特点是其较低的导通电阻（Rds(on)），能够在高电流条件下提供出色的效率和散热性能。此外，它还具有较高的雪崩击穿能力和快速开关特性，使其非常适合于对可靠性和速度要求较高的应用。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：2.8A
导通电阻：3.6Ω
栅极电荷：4.7nC
输入电容：420pF
总功耗：1.1W
工作温度范围：-55℃ to +150℃
1. 极低的导通电阻，提高了效率并减少了发热。
2. 快速开关特性，适合高频应用环境。
3. 高雪崩击穿能力，增强了器件在异常条件下的可靠性。
4. 优化的封装设计，提升了散热性能和电气连接的稳定性。
5. 广泛的工作温度范围，适应多种恶劣环境下的使用需求。
1. 开关电源（SMPS）
2. 直流-直流转换器
3. 电机驱动和控制
4. 负载切换电路
5. 电池保护电路
6. LED 驱动和背光电路
7. 其他功率管理相关应用
