时间：2025/5/12 12:04:51
阅读：7
FQB13N10L 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 DPAK 封装。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种电力电子应用，例如 DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等场景。
该器件通过优化的芯片设计和封装技术，能够实现高效的功率转换，同时保持较低的功耗。此外，它具备良好的热性能和可靠性，能够在较宽的工作温度范围内稳定运行。
型号：FQB13N10L
VDS（漏源极击穿电压）：100V
RDS(on)（导通电阻）：200mΩ（典型值，在 VGS=10V 时）
ID（连续漏极电流）：13A
VGS（栅源极电压）：±20V
PD（总功耗）：46W
fSW（最大工作开关频率）：500kHz
结温范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：DPAK（TO-252）
FQB13N10L 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 RDS(on)，可有效降低导通损耗，提高整体效率。
2. 高速开关能力，支持高达 500kHz 的开关频率，适合高频应用。
3. 较高的漏源极击穿电压（100V），确保在较高电压环境下安全运行。
4. 稳定的热性能，能够承受较高的结温（最高可达 175°C）。
5. 小型化封装设计，节省电路板空间，同时提供出色的散热性能。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
FQB13N10L 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 各类电机驱动电路中的功率级控制元件。
3. 电池管理系统中的负载开关或保护开关。
4. 工业自动化设备中的信号切换和功率控制。
5. 消费类电子产品中的高效功率管理模块。
6. LED 驱动器和其他需要高性能功率 MOSFET 的场合。
FQP13N10, IRF540N, STP13NK06Z
