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IS25LQ032B-JMLE-TR 发布时间 时间:2025/12/28 17:22:13 查看 阅读:33

IS25LQ032B-JMLE-TR 是一颗由 ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的串行闪存(Serial NOR Flash)芯片,容量为32Mbit,采用标准的SPI(Serial Peripheral Interface)接口进行数据读写操作。该器件广泛应用于需要非易失性存储的嵌入式系统中,例如网络设备、通信模块、工业控制系统以及消费类电子产品。该芯片采用先进的工艺制造,具有高性能、低功耗和高可靠性等特点,适用于各种复杂的工作环境。

参数

容量:32Mbit
  接口类型:SPI(支持单线、双线和四线模式)
  工作电压:2.3V - 3.6V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:8引脚 SOIC
  最大时钟频率:80MHz
  读取模式:支持标准、双输出、四输出和双/四I/O模式
  擦除块大小:4K字节、32K字节、64K字节
  编程页大小:256字节
  写保护功能:软件和硬件写保护
  JEDEC 标准兼容:支持 JEDEC JESD216 标准

特性

IS25LQ032B-JMLE-TR 是一款高性能、低功耗的串行 NOR Flash 存储器,具备多种读写模式以满足不同应用需求。该芯片支持标准 SPI、双线输出 SPI(Dual Output SPI)、四线输出 SPI(Quad Output SPI)以及 Dual I/O 和 Quad I/O 模式,极大提升了数据传输效率,适用于对读取速度要求较高的场景。
  其内置的擦除和编程算法优化了操作时间,256字节的可编程页大小支持快速写入,4K、32K 和 64K 字节的擦除块大小则提供了灵活的存储管理能力。芯片支持 JEDEC 标准指令集,便于与各类主控器兼容,也方便软件开发和调试。
  IS25LQ032B-JMLE-TR 具有强大的数据保持能力,典型数据保留时间为20年,擦写次数可达10万次以上,确保了长期使用的稳定性和可靠性。此外,该器件还支持软件和硬件写保护功能,防止意外擦除或写入,提高数据安全性。
  在电源管理方面,该芯片设计为宽电压范围(2.3V 至 3.6V),适用于多种供电环境,并具备低功耗待机模式,适合电池供电或对功耗敏感的应用场景。其工作温度范围为-40°C 至 +85°C,适用于工业级环境。

应用

IS25LQ032B-JMLE-TR 常用于需要大容量非易失性存储的嵌入式系统,如路由器、交换机、Wi-Fi 模块等网络设备;工业控制设备如 PLC 和 HMI;消费电子产品如智能手表、智能门锁、电子书和音频播放器;以及汽车电子、医疗设备等对稳定性和可靠性要求较高的领域。

替代型号

Winbond W25Q32JV, Macronix MX25L3233E, Microchip SST25VF032B

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IS25LQ032B-JMLE-TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR
  • 存储容量32Mb
  • 存储器组织4M x 8
  • 存储器接口SPI - 四 I/O
  • 时钟频率104 MHz
  • 写周期时间 - 字,页1ms
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电2.3V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 105°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
  • 供应商器件封装16-SOIC