时间：2025/12/29 14:56:02
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FQA40N50是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由安森美半导体（ON Semiconductor）生产。这款MOSFET专为高电压和高功率应用设计，适用于电源开关、电机控制、逆变器、UPS系统以及各种工业和消费类电子设备中。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：40A
漏源电压（VDS）：500V
栅源电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.18Ω（在VGS=10V时）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-3P（如FQA40N50）或TO-220（如FQA40N50C）
栅极电荷（Qg）：典型值为55nC
输入电容（Ciss）：典型值为1300pF
FQA40N50具有低导通电阻，能够在高电流下保持较低的导通损耗，提高系统效率。其高击穿电压（500V）使其适用于高压环境。该MOSFET采用先进的平面工艺技术制造，提供良好的热稳定性和可靠性。
此外，FQA40N50具有快速开关特性，有助于减少开关损耗，适用于高频开关应用。其封装设计有助于良好的散热性能，适用于高功率密度的设计。
器件内部的体二极管具备良好的反向恢复特性，适用于需要频繁反向电流工作的场合，例如在H桥电机驱动或逆变器电路中。这种MOSFET还具有较强的抗雪崩击穿能力，增强了在瞬态过电压条件下的可靠性。
由于其坚固的结构和优异的电气特性，FQA40N50被广泛应用于工业电源、DC-DC转换器、AC-DC适配器、马达控制和照明系统等场合。
FQA40N50常用于各种高电压和高功率应用，如开关电源（SMPS）、电机驱动器、逆变器、不间断电源（UPS）、LED照明驱动器、电池充电器、家用电器控制电路以及工业自动化系统。其优异的性能也使其适用于太阳能逆变器和电动汽车充电系统等新兴应用领域。
FQA40N50可被FQA40N50C（TO-220封装）、FQA40N50F（表面贴装封装）、IRFPC50、STP40NF50、FQP40N50等型号替代，具体选择应根据电路设计要求和封装形式进行匹配。
