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FDS4935BZ 发布时间 时间:2024/5/16 17:51:27 查看 阅读:227

FDS4935BZ是一种N沟道增强型功率MOSFET,由Fairchild Semiconductor公司生产。它是一种表面贴装型封装(SMD)器件,具有低导通电阻和高开关速度的特点。该器件广泛应用于各种电源、电动工具、汽车电子和工控设备等领域。
  FDS4935BZ是一种增强型MOSFET,它由一个N沟道形成的导电通道、一个绝缘层和一个金属栅极组成。当施加在栅极上的电压高于阈值电压时,栅极和导电通道之间的绝缘层会被击穿,导电通道导通,从而形成一个低电阻通路。当栅极电压低于阈值电压时,绝缘层会阻止电荷流动,导电通道截断,从而形成一个高电阻通路。通过控制栅极电压,可以实现对FDS4935BZ的开关控制。

基本结构

FDS4935BZ的基本结构包括源极、漏极、栅极和绝缘层。源极和漏极是两个金属接触,用于引入或输出电流。栅极是由金属电极和绝缘层组成,用于控制导电通道的形成和截断。

参数

●额定电压(Vds):30V
  ●额定电流(Id):11A
  ●静态电阻(Rds(on)):0.028Ω
  ●门极电压(Vgs)范围:±20V
  ●最大功率耗散(Pd):2.2W
  ●工作温度范围(Tj):-55°C至+150°C

特点

1、低导通电阻:由于采用了先进的MOSFET技术,该器件的导通电阻非常低,可以实现更高的效率和更小的功率损耗。
  2、高开关速度:FDS4935BZ具有快速的开关特性,可以实现快速的开关操作,适用于高频应用。
  3、低反馈电荷:该器件具有低反馈电荷特性,可以减少开关过程中的电流和电压波动,提高系统的稳定性和可靠性。
  4、高温稳定性:FDS4935BZ可以在较高的工作温度下正常运行,具有良好的热稳定性和可靠性。

工作原理

FDS4935BZ是一种增强型MOSFET,其工作原理基于金属-氧化物-半导体结构。当施加正向电压(Vgs)到器件的栅极时,形成的电场使得栅极与沟道之间形成一个导电通道,电流可以从源极流向漏极,实现导通状态。当施加负向电压(Vgs)到栅极时,电场消失,导电通道关闭,电流无法通过,实现关断状态。

应用

FDS4935BZ广泛应用于各种电子设备和系统,包括但不限于以下领域:
  1、电源:该器件可以用于开关电源、DC-DC转换器和逆变器等电源应用中,提供高效和可靠的功率控制。
  2、电动工具:FDS4935BZ可以用于电动工具中的电机驱动电路,提供高效和精确的电流控制。
  3、汽车电子:该器件适用于汽车电子系统中的驱动器和电源模块,如发动机控制单元(ECU)、车载娱乐系统和车身电子模块等。
  4、工控设备:FDS4935BZ可以用于工业自动化系统中的电机驱动和电源控制,如PLC、变频器和伺服系统等。

技术难点

FDS4935BZ作为一款功率型MOSFET器件,其设计和制造过程中存在一些技术难点。以下是FDS4935BZ的技术难点:
  1、电流容量和电压容量的平衡:FDS4935BZ作为功率型器件需要具备较大的电流容量和电压容量。在设计中,需要平衡电流容量和电压容量的需求,以满足实际应用中的功率要求。
  2、开关速度的控制:FDS4935BZ用于开关电路中,其开关速度对于电路性能至关重要。开关速度的控制涉及到电荷注入和漂移过程中的电场分布、载流子迁移速度等因素,需要通过设计和制造过程进行优化。
  3、温度特性的稳定性:FDS4935BZ在高功率工作条件下会产生较大的热量,温度特性的稳定性对于器件的可靠性和工作性能至关重要。在设计过程中,需要考虑热量的传导和散热,以保持温度特性的稳定性。
  4、封装和引脚设计:FDS4935BZ的封装和引脚设计需要考虑电气性能和机械强度的平衡。封装和引脚的设计需要满足器件的电连接要求,同时要保证稳定的电气性能和可靠的机械强度。
  5、制造工艺的优化:FDS4935BZ的制造过程需要考虑到掩膜制备、晶圆制备、沉积、刻蚀、离子注入等多个工艺步骤。制造过程中的每个步骤都需要进行优化,以提高器件的性能和可靠性。
  综上所述,FDS4935BZ的技术难点包括电流容量和电压容量的平衡、开关速度的控制、温度特性的稳定性、封装和引脚设计以及制造工艺的优化等方面。这些技术难点需要在设计和制造过程中加以解决和优化,以提高器件的性能和可靠性。

设计流程

FDS4935BZ的设计流程是一个系统性的过程,包括器件选型、电路设计、电路模拟、布局设计和制造过程。下面是FDS4935BZ的设计流程的一般步骤:
  1、器件选型:根据设计要求,选择合适的器件型号。在选型过程中需要考虑电流容量、电压容量、开关速度和封装类型等因素。
  2、电路设计:根据设计要求,设计FDS4935BZ的电路。包括输入输出电压范围、电流要求、保护电路和驱动电路等。通过电路设计,确定栅极电压和源极漏极电压的大小。
  3、电路模拟:使用模拟电路仿真软件,对设计的电路进行仿真验证。通过仿真可以评估电路的性能,并进行必要的调整和优化。
  4、布局设计:根据电路设计,进行器件布局设计。在布局设计过程中,需要考虑器件之间的电气隔离、导线连接、电源和地线的布局等。
  5、制造过程:根据布局设计,进行FDS4935BZ的制造过程。制造过程包括掩膜制备、晶圆制备、电极沉积、刻蚀、离子注入、金属连接等步骤。
  6、测试和验证:制造完成后,对FDS4935BZ进行测试和验证。测试包括静态特性测试和动态特性测试。静态特性测试包括电阻测试、电流测试和电压测试等。动态特性测试包括开关速度测试和功率损耗测试等。
  7、优化和改进:根据测试结果和验证反馈,对设计进行优化和改进。优化包括降低电阻、提高开关速度、减小功率损耗等。
  8、应用与推广:经过测试和验证的FDS4935BZ可以用于实际应用中。根据市场需求,进行推广和销售。
  FDS4935BZ的设计流程包括器件选型、电路设计、电路模拟、布局设计、制造过程、测试和验证、优化和改进,最终将器件应用于实际场景中。设计流程是一个循序渐进的过程,需要综合考虑各个环节的要求和限制,并进行优化和改进。

安装要点

FDS4935BZ是一种功率型MOSFET器件,安装时需要注意以下要点:
  1、确认引脚定义:在安装FDS4935BZ之前,需要仔细查阅器件的规格书或数据手册,确认引脚定义和功能。确保正确连接器件,避免引脚接反或接错。
  2、确保散热:FDS4935BZ在工作时会产生较大的热量,因此需要确保良好的散热条件。可以选择合适的散热器或散热片,将器件与散热器或散热片充分接触,以提高散热效果。
  3、适当的焊接技术:在安装FDS4935BZ时,可以选择合适的焊接技术,如表面贴装技术(SMT)或插装技术(THT)。根据实际需求和设备条件,选择适合的焊接方法。
  4、防静电保护:静电会对器件产生损害,因此在安装过程中需要采取必要的防静电措施。使用防静电手套、防静电垫等器具,避免静电的产生和传递。
  5、确保正确的电源和信号接线:在连接FDS4935BZ时,需要确保正确的电源和信号接线。避免电源和信号线路接触不良或短路,以免对器件和电路造成损坏。
  6、注意器件的定位和安装方向:在安装过程中,需要注意器件的定位和安装方向。确保器件正确安装在PCB上,并且引脚与PCB上的焊盘对应正确。
  7、进行安装质量检查:安装完成后,建议进行安装质量检查。检查焊接点是否均匀、牢固,是否有焊接短路或焊接开路等问题。确保安装质量良好,以提高器件的可靠性和性能。
  在安装FDS4935BZ时需要注意引脚定义、散热、焊接技术、防静电保护、电源和信号接线、器件定位和安装方向等要点。正确的安装操作可以确保器件正常工作,并提高其可靠性和性能。

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FDS4935BZ参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型2 个 P 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6.9A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C22 毫欧 @ 6.9A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs40nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1360pF @ 15V
  • 功率 - 最大900mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FDS4935BZTR