IXRA15N120 时间：2025/8/6 5:49:41 阅读：26

IXRA15N120是一款由IXYS公司制造的高电压高电流功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高功率和高频率的应用场景。该器件采用TO-247封装，具有良好的热性能和耐用性，适用于电源转换、电机控制、工业自动化等多种应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：15A
　　最大漏源电压：1200V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.35Ω（典型值）
　　栅极电荷：50nC
　　最大功耗：100W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-247

特性

IXRA15N120功率MOSFET具有多项优异的电气和物理特性，使其在高功率应用中表现出色。
　　首先，该器件的最大漏极电流为15A，能够承受较高的电流负载，适合用于需要大功率输出的电路设计中。其最大漏源电压为1200V，表明该MOSFET能够在高电压环境下稳定工作，适用于高压电源转换和工业控制设备。
　　其次，IXRA15N120的导通电阻（Rds(on)）典型值为0.35Ω，这一较低的导通电阻有助于减少导通损耗，提高系统效率。此外，该器件的栅极电荷为50nC，相对较低的栅极电荷使其在高频开关应用中表现出色，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器等应用场景。
　　在热性能方面，IXRA15N120采用TO-247封装形式，具有良好的散热能力，能够在较高温度环境下保持稳定工作。其最大功耗为100W，进一步说明该器件具备较强的热稳定性和可靠性。工作温度范围从-55°C到+150°C，使其适用于各种严苛的工业环境。
　　综合来看，IXRA15N120凭借其高电压、高电流、低导通电阻和良好的热管理性能，成为一款适用于多种高功率电子系统的理想MOSFET器件。

应用

IXRA15N120广泛应用于多种高功率和高频率的电子系统中。其主要应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC电源模块、电机控制和逆变器系统等。
　　在开关电源领域，IXRA15N120凭借其高电压和高电流特性，能够有效处理高压输入并实现高效的能量转换。其较低的导通电阻和栅极电荷使其在高频工作条件下仍能保持较低的开关损耗，提高整体电源效率。
　　在电机控制和逆变器系统中，该MOSFET可用于构建H桥电路，实现对电机转速和方向的精确控制。其高耐压能力使其适用于工业自动化、电动车驱动器和太阳能逆变器等应用场景。
　　此外，IXRA15N120还可用于高频感应加热、LED驱动电源以及各种工业控制设备中，为这些系统提供可靠的功率开关性能。