时间：2025/7/1 8:21:16
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FN18N3R3B500PSG是一款高压MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管），属于N沟道增强型器件，主要应用于高电压、大功率的场景。该芯片采用了先进的工艺设计，能够实现高效的开关性能和较低的导通损耗。
这款芯片具有出色的电气特性和稳定性，适合用于各种工业和汽车级应用环境。其封装形式通常为TO-247或类似的功率封装，便于散热管理。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS)：1800V
最大栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：3A
脉冲漏极电流(Ip)：9A
导通电阻(RDS(on))：3.5Ω
功耗(PD)：30W
结温范围(TJ)：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
FN18N3R3B500PSG具有以下显著特点：
1. 高耐压能力，支持高达1800V的工作电压，适用于高压电路。
2. 低导通电阻，减少功率损耗并提升效率。
3. 快速开关速度，有助于降低开关损耗。
4. 出色的热稳定性和可靠性，适合在极端温度条件下运行。
5. 符合RoHS标准，环保且满足国际规范要求。
6. 优秀的抗电磁干扰(EMI)性能，确保系统稳定运行。
该MOSFET广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)中的高频开关元件。
2. 工业电机驱动与控制电路。
3. 新能源汽车中的逆变器和DC-DC转换器。
4. 太阳能逆变器和储能系统的功率转换模块。
5. 其他需要高压开关功能的电力电子设备。
其高压特性和高效性能使其成为众多高电压应用场景的理想选择。
IXTH18N170P
FH18N3R3B500PSG
IRFP260N
