FP6146-28C8GTR是一款高性能的场效应晶体管(FET),主要用于功率转换和开关应用。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高电流处理能力,广泛应用于电源管理、电机驱动以及消费类电子产品中。
这款芯片以其实现高效能和稳定性的特点,成为众多设计工程师的理想选择。其封装形式为TO-252(DPAK),能够适应多种电路环境。
型号:FP6146-28C8GTR
类型:N沟道MOSFET
电压(Vds):60V
电流(Id):46A
导通电阻(Rds(on)):2.8mΩ
栅极电荷(Qg):39nC
功耗(Pd):275W
封装:TO-252 (DPAK)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
FP6146-28C8GTR的主要特性包括以下几点:
1. 极低的导通电阻,有助于降低导通损耗并提高整体效率。
2. 高雪崩能量能力,保证在过载条件下也能正常运行。
3. 快速开关速度,减少开关损耗并提升动态性能。
4. 优异的热稳定性,在高温环境下仍能保持良好的电气性能。
5. 小型化的DPAK封装设计,节省了PCB空间并简化散热设计。
这些特性使得FP6146-28C8GTR非常适合于要求高效和紧凑设计的应用场景。
FP6146-28C8GTR适用于广泛的电子应用领域,具体包括:
1. 开关电源(SMPS)中的功率转换模块。
2. 电池管理系统(BMS)中的保护和切换电路。
3. 消费类电子产品中的负载开关和电机驱动控制。
4. 工业设备中的直流-直流转换器和逆变器。
5. LED照明系统中的恒流驱动电路。
由于其卓越的性能和可靠性,该器件在需要高效率和高功率密度的应用中表现尤为突出。
FP6146-28C8GTS, IRFZ44N, FDP5570N