FODM3082R3V 是一款由 ON Semiconductor 生产的高速光耦合器(光电隔离器),广泛应用于需要电隔离的数字信号传输场合。该器件由一个 GaAs 发光二极管(LED)驱动一个集成的高速光电探测器组成,具有高绝缘电压、低传播延迟和高抗噪能力。FODM3082R3V 常用于工业自动化系统、电机控制、电源转换器和隔离型通信接口中。
供电电压:3.0V - 5.5V
输出类型:开集输出
最大数据速率:10Mbps
传播延迟:最大 100ns
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
绝缘电压:5000 Vrms
上升时间:最大 10ns
下降时间:最大 10ns
FODM3082R3V 具有多个显著的技术特性,使其在工业控制和隔离通信应用中表现优异。
首先,该光耦合器采用了先进的 CMOS 工艺和高效率的 GaAs LED,能够在 3.0V 至 5.5V 的宽电压范围内稳定工作,适用于现代低电压数字系统。其高速性能支持最高 10Mbps 的数据传输速率,适用于高速通信和实时控制应用。
其次,该器件具有较低的传播延迟(最大 100ns)和快速的上升/下降时间(各为最大 10ns),确保了信号传输的精确性和同步性,适用于对时序要求严格的系统,如脉宽调制(PWM)控制和编码器信号隔离。
此外,FODM3082R3V 提供高达 5000 Vrms 的电气隔离电压,确保了在高电压环境下系统的安全性和稳定性。其高抗电磁干扰(EMI)能力也使其适用于工业现场等噪声较大的环境中。
封装方面,该器件采用小型化的 8 引脚 SOIC 封装,便于 PCB 布局和自动化装配,符合 RoHS 环保标准。
FODM3082R3V 主要应用于需要高速信号隔离的工业和通信系统。例如,在可编程逻辑控制器(PLC)中,该光耦可用于隔离输入/输出(I/O)模块与主控单元之间的数字信号,防止高电压或噪声干扰主控电路。在变频器和电机控制系统中,FODM3082R3V 常用于隔离 PWM 控制信号,确保功率部分与控制部分之间的安全隔离。
该器件也广泛用于电源管理系统,如 DC-DC 转换器和隔离式电源模块中,用于反馈控制信号的隔离传输。此外,在现场总线通信系统(如 RS-485 和 CAN 总线)中,FODM3082R3V 可用于隔离通信接口,提高系统的抗干扰能力和稳定性。
由于其低功耗和高速特性,该光耦也适合用于电池供电设备和便携式仪器中,实现信号隔离而不增加额外的功耗负担。
HCPL-0631, 6N137, LTV-847S, TLP2361