时间：2025/7/22 16:13:29
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STB9NK50Z是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款MOSFET设计用于高效率、高可靠性的功率转换应用，具有低导通电阻、高耐压和高电流处理能力。STB9NK50Z广泛应用于电源供应器、DC-DC转换器、电机控制、逆变器以及各类高功率电子设备中。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：500V
栅源电压（VGS）：±30V
连续漏极电流（ID）：9A
导通电阻（RDS(on)）：0.85Ω（最大）
功率耗散（PD）：125W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220FP
STB9NK50Z具有多项优异的电气和热性能特性，首先，其高耐压特性（VDS=500V）使其适用于高电压环境，如开关电源和电机控制电路。其次，该MOSFET的导通电阻较低，典型值为0.85Ω，有助于减少导通损耗，提高系统效率。
此外，STB9NK50Z采用了先进的平面工艺技术，提供更高的可靠性和稳定性，同时具备良好的热管理能力，能够在较高功率条件下稳定运行。其TO-220FP封装不仅有助于良好的散热，也便于安装在标准散热片上，适用于工业级应用环境。
该器件还具备良好的抗雪崩能力和过载保护能力，能够在瞬态过压或过流情况下保持稳定，提高系统的整体安全性。栅极驱动电压范围宽（±30V），使得其适用于多种驱动电路设计。
STB9NK50Z适用于多种高功率和高电压应用场景，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、UPS不间断电源、电机驱动电路、逆变器、LED照明电源、工业自动化设备以及家电中的功率控制模块。其高可靠性和优异的热性能使其成为工业控制和消费类电子中广泛采用的功率MOSFET之一。
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