时间：2025/7/22 6:50:04
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IXTH230N085T 是一款由 Littelfuse（原IXYS公司）制造的高性能 N 沟道增强型高压大功率 MOSFET。该器件采用了先进的高压功率MOSFET技术，具备出色的导通和开关性能，适用于需要高效率、高功率密度和高可靠性的电源系统。其额定电压为850V，连续漏极电流可达230A，非常适合用于工业电源、电机控制、电焊设备、UPS系统、太阳能逆变器等高功率应用场合。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：850V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：230A @ TC=25°C
导通电阻(Rds(on))：典型值为12mΩ @ Vgs=10V
最大功率耗散(Pd)：380W @ TC=25°C
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-264
IXTH230N085T 的核心特性之一是其非常低的导通电阻（Rds(on)），典型值仅为12mΩ，这使得在高电流工作条件下，导通损耗大幅降低，从而提高整体效率。此外，该器件具备出色的热稳定性和抗雪崩能力，能够在高应力工作环境下保持稳定运行。
该MOSFET采用TO-264封装，具有良好的散热性能，适合高功率密度设计。其快速开关特性有助于减少开关损耗，适用于高频开关电源和逆变器系统。此外，IXTH230N085T 还具有较强的短路耐受能力，增强了其在电机驱动和工业自动化系统中的适用性。
栅极驱动方面，该器件支持标准10V栅极驱动电压，与大多数现有的MOSFET驱动IC兼容，简化了设计和替换过程。同时，其高dv/dt耐受能力降低了因快速开关引起的误触发风险，提高了系统稳定性。
IXTH230N085T 主要用于高功率、高电压的应用场景，如工业电机驱动器、高频开关电源、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电焊机、电动车辆充电系统等。在这些系统中，该器件能够有效降低导通和开关损耗，提高整体能效，并增强系统的可靠性和使用寿命。
此外，该MOSFET也可用于各种DC-DC转换器和功率因数校正（PFC）电路中，尤其适合需要高耐压、高电流能力的设计。其优异的热性能和抗冲击能力也使其在严苛的工业环境和户外应用中表现出色。
IXFN230N085T, IXTH200N085T, IXFH230N085P
