时间：2025/7/2 13:48:25
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FN31N823J500EPG 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET，适用于高效率开关电源、DC-DC 转换器以及其他电力电子应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，能够在高频工作条件下保持高效运行。
此型号属于 Fairchild（现为 ON Semiconductor）旗下的 MOSFET 系列产品，专为需要高电流承载能力和低功耗的应用而设计。
最大漏源电压：820V
连续漏极电流：3.1A
导通电阻：4.9Ω
栅极电荷：16nC
开关时间：开启时间 67ns，关断时间 32ns
结温范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220FP
FN31N823J500EPG 具有以下主要特性：
1. 高耐压能力：其额定漏源电压高达 820V，适用于高压环境下的应用，例如工业设备和汽车系统。
2. 低导通电阻：在典型工作条件下，导通电阻仅为 4.9Ω，有助于降低导通损耗并提高整体效率。
3. 快速开关性能：低栅极电荷和短开关时间使其非常适合高频开关应用，能够有效减少开关损耗。
4. 热稳定性强：宽广的工作温度范围（-55°C 至 +150°C）确保了其在极端环境下的可靠性。
5. 封装坚固：采用 TO-220FP 封装，具备良好的散热性能和机械强度，便于安装和使用。
FN31N823J500EPG 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS)：
- 用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器中作为主开关管。
2. 工业控制：
- 在电机驱动器、逆变器和固态继电器等设备中提供高效的功率控制。
3. 汽车电子：
- 适用于启动系统、负载切换以及电池管理单元中的功率转换。
4. 家用电器：
- 实现节能型家电中的电源管理和电机驱动功能。
FDZ31N82L, IRF820, STW82N30
