FN21X333J500PXG是一款高性能的功率MOSFET芯片,适用于高效率、高频开关电源及电机驱动等应用场景。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著提升系统的整体效率和稳定性。
这款功率MOSFET通常用于AC-DC转换器、DC-DC转换器、逆变器以及各种负载开关应用中。其出色的热性能和耐用性使其非常适合于对可靠性要求较高的工业和消费类电子领域。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压:650V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:16A
导通电阻(典型值):0.04Ω
总功耗:250W
工作温度范围:-55℃至+175℃
封装形式:TO-247
FN21X333J500PXG具备以下关键特性:
1. 高耐压能力:最大漏源电压高达650V,适合高压电路环境。
2. 低导通电阻:在典型工作条件下,导通电阻仅为0.04Ω,可有效降低导通损耗。
3. 快速开关性能:具备较低的输入电容和输出电荷,有助于提高开关频率和系统效率。
4. 热性能优越:采用大功率封装设计,散热性能优异,能够在高温环境下稳定运行。
5. 高可靠性:经过严格的测试与筛选,确保在恶劣条件下的长期使用稳定性。
该器件广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):用于实现高效的能量转换。
2. 电机驱动:为直流无刷电机和其他类型的电机提供高效的驱动控制。
3. 工业自动化:用作各类工业设备中的功率开关元件。
4. 太阳能逆变器:在光伏系统中进行直流到交流的转换。
5. 汽车电子:适用于车载充电器和电动助力转向系统等应用。
IRFP460,
FDP068N65S3,
STP17NF65,
IXYS43N65T2