MRF20180 是一款由 NXP(恩智浦)半导体公司生产的射频(RF)功率晶体管,主要用于高频射频功率放大器应用。该器件基于 LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)技术,具有高效能、高增益和出色的热稳定性,适用于广播、通信设备以及工业射频系统等场景。MRF20180 能够在1.8 GHz至2.4 GHz的频率范围内工作,是一款非常适合现代无线通信基础设施的高性能射频晶体管。
频率范围:1.8 GHz - 2.4 GHz
工作电压:28 V
输出功率:典型值 180 W
增益:≥ 14 dB
效率:≥ 60%
输入回波损耗:≥ 15 dB
封装类型:AB包封(符合MIL-STD-750标准)
阻抗:50 Ω
MRF20180 采用先进的 LDMOS 技术,具有高输出功率和优异的线性度,使其在高频率下仍能保持良好的性能表现。
其高增益特性减少了前级驱动电路的需求,提高了系统设计的灵活性。
该器件具有优良的热管理能力,能够在较高工作温度下稳定运行,增强了系统的可靠性和耐用性。
此外,MRF20180 设计用于宽带应用,支持多种通信标准,包括 GSM、CDMA、W-CDMA 和 LTE 等。
它还具备良好的失真性能,适合需要高信号完整性的应用场合,例如基站和射频测试设备。
MRF20180 主要用于蜂窝通信基站的射频功率放大器模块,尤其是在 4G LTE 系统中有着广泛的应用。
在广播系统中,它被用于 DVB-T(数字视频广播-地面)发射机的功率放大环节。
此外,该器件也适用于射频测试设备、工业加热系统和医疗射频设备等需要高功率射频放大的场合。
由于其出色的宽带性能和高效率,MRF20180 在多频段或多标准通信系统中也具有良好的适应性。
NXP MRF20160, MRF20240, MRFE6VP61K25H, Cree CGH40120