时间：2025/5/24 19:31:14
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FN21N392J500ECG 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于多种功率转换和开关应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，可显著提高系统的效率和可靠性。
该型号主要针对高功率密度设计优化，适合用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及负载开关等场景。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：392A
导通电阻：5mΩ
栅极电荷：50nC
开关速度：快速
封装类型：TO-247
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
FN21N392J500ECG 具有以下突出特点：
1. 极低的导通电阻，能够有效降低功率损耗，提升系统效率。
2. 快速的开关性能，支持高频操作，减少磁性元件体积。
3. 高电流承载能力，适用于大功率应用场景。
4. 宽广的工作温度范围，确保在极端环境下仍能稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
6. 内置保护功能（如过流保护和短路保护），提高了整体的安全性和耐用性。
该型号广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. 电机驱动电路
3. DC-DC 转换器
4. UPS 系统
5. 工业自动化设备中的负载控制
6. 电动汽车及混合动力汽车的动力系统
7. 大功率 LED 驱动电路
8. 其他需要高电流、高效能开关的应用
IRF3710, FQP18N60, STW91N60
