时间：2025/4/29 9:39:06
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IPD650P06NM是一款高性能的功率MOSFET，采用先进的制造工艺，专为需要高效率和低功耗的应用设计。该器件适用于直流-直流转换器、负载开关、电机驱动等应用场合。其封装形式为TO-252（DPAK），具备良好的散热性能。
IPD650P06NM具有较低的导通电阻和快速的开关特性，这使其在高频工作条件下表现出色。此外，该器件还具有较高的雪崩耐量能力，能够在异常情况下提供额外的保护。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：6.5A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：19nC
反向恢复时间：38ns
工作结温范围：-55℃ to +175℃
1. 极低的导通电阻，能够显著降低导通损耗，提高整体效率。
2. 快速的开关速度，减少开关损耗，非常适合高频应用。
3. 具备强大的雪崩能力和稳健的设计，确保在恶劣环境下可靠运行。
4. 小型化的TO-252封装，有助于节省PCB空间并提升热性能。
5. 符合RoHS标准，环保且适合现代化生产需求。
1. 开关电源（SMPS）
2. 直流-直流转换器
3. 负载开关
4. 电机驱动
5. 工业控制及保护电路
6. 消费类电子产品的电源管理模块
IRF650N
IXYS IXFN65P04T2
ON Semiconductor NTMFS5C628NL
