时间：2025/7/23 5:04:27
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STD1HNC60T4是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高性能功率MOSFET，采用先进的沟槽栅技术，具有低导通电阻和高效率的特点。该器件特别适用于高功率密度应用，如电源管理、DC-DC转换器和电机控制电路。STD1HNC60T4采用TO-220封装，具备良好的热管理和高可靠性。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：600V
最大漏极电流(Id)：1.5A（连续）
导通电阻(Rds(on))：最大1.2Ω @ Vgs=10V
栅极阈值电压(Vgs(th))：2V至4V
最大栅极电压(Vgs)：±20V
功耗(Pd)：50W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装：TO-220
STD1HNC60T4具备多项优异特性，适用于高要求的功率电子系统。首先，其600V的漏源电压能力使其非常适合用于高电压应用，如离线式电源和工业电机控制。其次，低导通电阻（Rds(on)）确保在高电流条件下保持较低的导通损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET采用先进的沟槽栅技术，优化了开关性能，减少了开关损耗。
该器件的封装形式为TO-220，具备良好的散热性能，有助于在高功率环境下维持稳定工作温度。其栅极驱动特性也经过优化，兼容常见的10V栅极驱动电路，便于集成到现有系统中。同时，该MOSFET具备高雪崩耐量和良好的短路承受能力，提高了器件在严苛工作条件下的可靠性。
STD1HNC60T4广泛应用于多种高功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、照明控制系统、工业自动化设备以及家用电器中的电源模块。其高耐压、低导通电阻和良好热性能使其成为高效率、高可靠性电源设计的理想选择。此外，它也可用于电池管理系统、UPS（不间断电源）和光伏逆变器等应用中。
STD1HNC60T4G、STF1HN60T4、STW1HN60T4
