时间：2025/5/26 19:49:45
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FN21N1R5B500PAG是一款高压MOSFET功率晶体管，采用TO-247封装形式。该器件适用于高电压和大电流应用场合，广泛用于开关电源、逆变器、电机驱动等场景。其设计结合了低导通电阻降低功耗并提升系统效率。
最大漏源电压：1500V
连续漏极电流：21A
导通电阻：1.3Ω
栅极电荷：95nC
总功耗：360W
工作温度范围：-55℃至175℃
FN21N1R5B500PAG具有高耐压能力，能够在高达1500V的环境下稳定运行，同时具备较低的导通电阻，从而减少热损耗并提高效率。
该器件采用了先进的制造工艺，优化了开关特性和热性能，使其在高频应用中表现出色。
此外，其坚固的设计和宽广的工作温度范围确保了其在恶劣环境下的可靠性。
该芯片主要应用于高压电源转换领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. 逆变器和不间断电源（UPS）
3. 工业电机控制
4. 太阳能逆变器
5. 高压驱动电路
由于其高电压承受能力和大电流处理能力，非常适合需要高效能量转换和严格电气隔离的应用场景。
FND21N150P3G
IRFP260N
STW85N150Z
