时间：2025/6/5 11:53:29
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FN21N181J500PAG是一款高性能的MOSFET功率器件，采用先进的半导体制造工艺生产。该器件主要应用于高频开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等需要高效能和低损耗的场景。
这款MOSFET具有极低的导通电阻（Rds(on)），能够显著降低电路中的功率损耗，并提高系统的整体效率。此外，其高雪崩击穿能力和出色的热稳定性使其能够在恶劣的工作条件下保持可靠运行。
最大漏源电压：180V
连续漏极电流：21A
导通电阻：5mΩ
栅极电荷：75nC
开关速度：超快恢复
工作温度范围：-55℃ to +175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有效降低功耗。
2. 高速开关性能，适合高频应用环境。
3. 强大的雪崩击穿能力，增强了器件在异常条件下的耐用性。
4. 宽广的工作温度范围，适应各种严苛环境。
5. 优化的封装设计，提升散热性能和电气连接可靠性。
1. 开关电源中的主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动电路中的功率输出级。
3. DC-DC转换器中的功率开关。
4. 电池管理系统中的保护开关。
5. 各类工业自动化设备中的功率控制元件。
IRF2110, STW21N180, FDP21N18
