时间：2025/7/5 4:46:56
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FN18X473K500PBG是一款由Fairchild（现为ON Semiconductor）生产的MOSFET功率晶体管，采用先进的制造工艺以实现高效率和低导通电阻。该器件广泛用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率管理的应用场景。
该型号属于N沟道增强型MOSFET，具有快速开关特性和低栅极电荷的特点，从而减少了开关损耗并提高了整体系统效率。
最大漏源电压(Vds)：50V
连续漏极电流(Id)：24A
导通电阻(Rds(on))：2.8mΩ
栅极电荷(Qg)：45nC
总电容(Ciss)：2940pF
工作结温范围：-55℃至175℃
封装类型：PQFN5*6
FN18X473K500PBG采用了领先的硅片技术，确保了其在高频开关条件下的卓越性能。其低导通电阻设计可以显著降低传导损耗，同时其优化的栅极电荷进一步提升了开关速度和效率。
此外，该器件还具备出色的热稳定性，能够在极端温度范围内可靠运行，非常适合对散热要求较高的应用场合。由于其小型化的PQFN封装，这款MOSFET特别适合空间受限的设计项目。
FN18X473K500PBG主要应用于高效率功率转换领域，例如：
- 开关模式电源(SMPS)
- DC-DC转换器
- 电动工具和家用电器中的电机驱动
- 工业自动化控制
- 新能源汽车中的电池管理系统(BMS)
其强大的电气性能和紧凑的封装形式使其成为众多现代电子设备的理想选择。
IRFZ44N
FDP18N50
STP24NF50
