GA0603A390FXBAC31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,适用于各种开关和功率转换应用。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度以及优异的热性能,广泛应用于电源管理、电机驱动和负载开关等领域。
该型号属于沟道增强型 MOSFET,具体为 N 沟道类型,能够有效减少功率损耗并提高效率。其封装形式通常为紧凑型表面贴装设计,便于在高密度电路板上使用。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:39A
导通电阻:2.5mΩ
栅极电荷:85nC
总电容:1100pF
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-263
GA0603A390FXBAC31G 的主要特性包括以下几点:
1. 极低的导通电阻(2.5mΩ),可显著降低功率损耗,提高整体效率。
2. 高额定电流(39A),适合大功率应用场景。
3. 快速开关能力,具备低栅极电荷(85nC),有助于减少开关损耗。
4. 宽工作温度范围(-55℃ 至 +175℃),能够在极端环境下稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
6. 紧凑的封装设计(TO-263),方便 PCB 布局及散热管理。
7. 提供优异的电气性能和可靠性,适用于多种工业和消费类电子设备。
GA0603A390FXBAC31G 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器和功率因数校正(PFC)电路。
2. DC-DC 转换器中的主开关或续流二极管替代方案。
3. 电池管理系统(BMS)中用于负载控制和保护功能。
4. 电动工具、家用电器等产品的电机驱动电路。
5. 工业自动化设备中的负载开关和保护电路。
6. 各种需要高效功率开关的汽车电子系统,例如车载充电器和逆变器。
GA0603A390KXBAE31G, IRFZ44N, FDP5800