时间：2025/7/9 0:58:32
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PESDNC2FD3V3BS 是一款基于氮化镓 (GaN) 材料的瞬态电压抑制 (TVS) 二极管阵列，主要用于静电放电 (ESD) 防护和瞬态过压保护。该器件具有极低的电容值，非常适合高速信号线和高频应用场合。其工作电压为 3.3V，能够有效保护数据接口免受 ESD 和其他瞬态浪涌的损害。
该器件采用紧凑型封装设计，便于在空间受限的应用中使用，并提供卓越的钳位性能以确保被保护电路的安全。
类型：TVS 二极管阵列
工作电压：3.3V
最大反向工作电压：3.3V
击穿电压：4V
峰值脉冲电流：±15A
箝位电压：6V
结电容：0.5pF
响应时间：<1ns
封装形式：DFN1006-2
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
1. 极低电容设计（0.5pF），适合高速数据线路保护。
2. 快速响应时间 (<1ns)，可有效抑制瞬态浪涌和 ESD 威胁。
3. 高度可靠的 GaN 技术，提供优越的钳位性能和低漏电流。
4. 小尺寸 DFN1006-2 封装，节省 PCB 空间。
5. 宽工作温度范围 (-55℃ 至 +150℃)，适用于各种恶劣环境下的应用。
6. 符合 AEC-Q101 标准，满足汽车级可靠性要求。
1. USB 3.1/3.2、HDMI、DisplayPort 和其他高速接口的 ESD 保护。
2. 汽车电子系统中的 CAN 总线、LIN 总线保护。
3. 移动设备和消费类电子产品中的射频 (RF) 信号线保护。
4. 工业控制设备的数据通信端口防护。
5. 物联网 (IoT) 设备中的无线模块防护，如 Wi-Fi、蓝牙等。
PESD2CANFD3V3BS
PESD2HDMI3V3
PESD2USB3V3
