FN18N2R2C500PSG 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用 TO-220 封装形式。该器件适用于多种开关电源、电机驱动以及负载切换等应用场合。FN18N2R2C500PSG 的设计使其在高效率和低功耗方面表现出色,同时具备良好的热性能和可靠性。
这款功率 MOSFET 主要用于需要高效能转换的应用场景中,例如 DC-DC 转换器、逆变器、不间断电源 (UPS) 等领域。
最大漏源电压:500V
连续漏极电流:18A
栅极阈值电压:2.0V~4.0V
导通电阻(典型值):2.2mΩ
最大功耗:360W
工作温度范围:-55℃~175℃
FN18N2R2C500PSG 具有以下显著特性:
1. 高击穿电压:500V 的漏源电压使得该器件能够在高压环境下稳定运行。
2. 低导通电阻:2.2mΩ 的导通电阻降低了功率损耗,提高了系统效率。
3. 快速开关速度:优化的栅极电荷设计确保了快速的开关切换能力,从而减少开关损耗。
4. 强大的散热能力:TO-220 封装提供了出色的热性能,能够有效散去运行过程中产生的热量。
5. 宽工作温度范围:从 -55℃ 到 175℃ 的工作温度范围使该器件适合各种恶劣环境下的应用。
6. 高可靠性:通过严格的测试和筛选流程,确保器件在长期使用中的稳定性与可靠性。
FN18N2R2C500PSG 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS):作为主开关管或同步整流管使用。
2. 电机驱动:控制直流电机的启停、转速和方向。
3. 逆变器:将直流电转换为交流电,适用于太阳能发电系统等。
4. 不间断电源 (UPS):提供稳定的电源支持,在电网异常时保证设备正常运行。
5. 电池管理系统 (BMS):用于电池充放电管理及保护电路。
6. 工业自动化设备:如工业控制器、传感器接口等需要高效能转换的场景。
IRF540N, STP18NF50, FDP18N50C